Электрик ва электрон –зонд микроскопия усуллари билан диффузия ёрдамида легирланган Si<N> ва Si<Co> намуналарига нейтрон нурланишларининг таъсирлари тадқиқ этилди. Никель ва кобальт киришма атомларини микробирикмаларининг нурланишдан олдин ва кейинги ҳолатлари ўрганилди. Киришмавий микробирикмаларни шакли ва ўлчамларига қараб нурланишнинг маълум бир қийматларида уларни емирилиши аниқланди.
Электрик ва электрон –зонд микроскопия усуллари билан диффузия ёрдамида легирланган Si<N> ва Si<Co> намуналарига нейтрон нурланишларининг таъсирлари тадқиқ этилди. Никель ва кобальт киришма атомларини микробирикмаларининг нурланишдан олдин ва кейинги ҳолатлари ўрганилди. Киришмавий микробирикмаларни шакли ва ўлчамларига қараб нурланишнинг маълум бир қийматларида уларни емирилиши аниқланди.
Методами электрических измерений и электронно-зондовой микроскопии исследовано влияние нейтронного облучения на электрофизические свойства образцов Si<Ni> и Si<Co>, полученных путем диффузионного легирования. Изучено состояние примесных микровключений никеля и кобальта до и после облучения. Установлено, что при определенных дозах облучения присходит распад примесных микровключений, последовательность которого зависит от их формыи размера.
The effects of neutron irradiation on the electrophysical properties of Si <Ni> and Si <Co> samples obtained by diffusion doping have been studied by electric measurement and electron probe microscopy methods. The states of impurity microinclusions of cobalt and nickel before and after irradiation were studied. It has been established that at certain doses of irradiation decay of impurity microinclusions occurs, the sequence of which depends on their shape and size.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Zaynobidinov S.. | professor | Andijon davlat universiteti |
| 2 | Turgunov N.A. | dotsent | Ichki ishlar akademiyasi |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | 1. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С.Смирнова.- Новосибирск, 1997.- 256 с. 2. Зайнабидинов С.З., Рубинова Э.Э. Нейтронно-трансмутационное легирование кремния.- Т.: Фан, 1983.- 96 с. 3. Смирнов Л.С., Болотов В.В., Васильев А.В. Роль неравновесности кристаллов полупроводников при радиационных обработках // ФТП, Вып. 13, 1979.-С.1443-1447. 4. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович B.C. Фотопроводимость и электрические свойства Si/Er/, облученного γ квантами 60Со // ФТП, - 1982. - т. 16. - Вып. 9. - С.1676-1678. 5. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С. Изменение состояния атомов фосфора в решетке кремния при взаимодействии с радиационными дефектами// ФТП, 36, Вып. 4, 2002.-С. 385-389. 6. Мaтяш И.Е., Минайлова И.А., Сердега Б.К., Хируненко Л.И. Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении // ФТП,Вып. 9,2017. с. 1155-1160. |