592

Мақолада электрон нурлари оқими таъсирида ҳосил бўлган нуқсон ва киришмали ҳолатларнинг ҳосил бўлиш механизмлари муҳокама қилинади.

 

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 06-12-2019
  • Количество прочтений 570
  • Дата публикации 30-05-2018
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы21-23
Ўзбек

Мақолада электрон нурлари оқими таъсирида ҳосил бўлган нуқсон ва киришмали ҳолатларнинг ҳосил бўлиш механизмлари муҳокама қилинади.

 

Русский

В статье обсуждается механизмы образования примесных состояний и дефектов образованных в процессе электронного облучения.

 

 

English

The mechanisms of formation of impurity states and defects formed in the process of electron irradiation are discussed in the article.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Olimov L.O. professor Andijon mashinasozlik instituti
2 Madaminov Z.K.
3 Sohibova Z.M.
4 Yusupov E.E.
5 Omonboyeva M.L.
№ Название ссылки
1 1. Ильдус И.И. Исследование путей повышения радиационной стойкости солнечных элементов методом ионной имплантации и применением концентрированного солнечного излучения, //Автореферат дисс., 1997. 2. Олимов Л.О., Абдурахманов Б.М., Омонобоев Ф.Л., Юсупов А.Х., Сохибова З.М. Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов. //Журнал Физическая инженерия поверхности. Украина. 2016, т.1, №3, С.263-267. 3. Abdurakhmanov B., Olimov L.O., Abdurazzakov F. S., and Z. N. Alad’ina. Silicon solar cells exposed to electron bombardment: Thermovoltaic properties. //Applied Solar Energy. 2010, vol. 46. №2, р.161÷163. [01.00.00, №3]. 4. Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О. Обнаружение примесных вольтаических эффектов в монокристаллических кремниевых солнечных элементах. // ЎзР ФА маърузалари.- 2009.- №1.- С.26-29. [01.00.00, №7] 5. Олимов Л.О. Абдурахманов Б.М., Абдураззақов Ф.С. Обнаружение примесных тепловольтаических и теплофотовольтаических эффектов в монокристаллических кремниевых солнечных элементах подвергнутых электронному облучению. // Ўзбекистон физика журнали.- 2009.- №.5-6.- С.384-387. [01.00.00, №5] 6. Олимов Л.О., Абдурахманов Б.М., Омонбоев Ф.Л. Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ. //Журнал Физическая инженерия поверхности. Украина. 2014, т.12, №1, С.4-8. 7. Olimov L.O. Model of the Grain Boundary in p-n Structures Basedon Polycrystalline Semiconductors. //Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. 2010, vol. 46. №2, р.118÷121. 8. Olimov L.O., Abdurakhmanov B.M., Omonboev F.L. Some Features of the Transport of Charge Carriers in the Grain Boundaries of Polycrystalline Silicon.//International Journal of Advanced Research in Physical Science (IJARPS). Volume 1, Issue 6, October 2014, PP 12-17. 9. Олимов Л.О. Межзеренные границы в поликристаллическом кремнии: микроструктура, зарядовые состояния и р-n – переходы. Дисс… докт. ф.-м. наук..- Т., 2016. 10. Абдурахманов Б.М., Чирва В.П., Саидов М.С., Олимов Л.О. Некоторые особенности формирования р-n структура на поликристаллическом кремнии ионной имплантацией щелочных металлов. //Гелиотехника №5, С.78-83, 1998. 11. Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. «High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties». //ISSN 0503-1265. Ukr. J.Phys. 2006, V.51. N 7. р. 699÷702. 12. B. M. Abdurakhmanov, L. O. Olimov, and M. S. Saidov.Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p Structures at Elevated Temperatures. //Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. 2008, vol. 44. №1, р.46÷52.
В ожидании