ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА ZnXSn1-ХSe ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХМПО

Методом химически молекулярно-пучкового осаждения (ХМПО) были получены Zn_XSn_1-XSe пленки твердого раствора. В качестве источников был использованы соединения ZnSe и SnSe стехиометрического состава при температурах подложки 560⁰С. Исследованы морфологические и электрофизические свойства пленок твердого раствора Zn_XSn_1-XSe. Рисунки сканирующего электронного микроскопа показали, что размеры зерен пленок составляют 8-20 мкм. Приведены структурные параметры полученных пленок. Электропроводность пленок составляла 15 ? 1?10^-6 (Ом.см) ^-1 в зависимости от состава твердого раствора.

The Zn_XSn_1-XSe solid solution films were fabricated by the chemical molecular beam deposition (CMBD) method. The sources used were ZnSe and SnSe compounds of stoichiometric composition at the substrate temperature of 560⁰С. The morphological and electrophysical properties of the Zn_XSn_1-XSe solid solution films are investigated. Scanning electron microscope images showed that the grain sizes of the films are 8-20 microns. The structural parameters of the obtained films are given. The electrical conductivity of the films was 15 ? 1 . 10^-6 (Ohm.cm) ^-1 depending on the composition of the solid solution.