| Название | 2019, том 1, выпуск 1 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 1 | ||
| Дата выпуска | 28/02/2019 | ||
| Страницы | 71 | ||
| Номер выпуска в этом году | 1 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
STRUCTURAL FEATURES OF THE SOLID SOLUTION (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y WITH QUANTUM DOTS (0 Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 11-14 | 813 | 0 |
|
ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ АТОМАМИ ГАДОЛИНИЯ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 15-17 | 991 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 18-22 | 918 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 23-26 | 806 | 0 |
|
ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ И МАРГАНЦЕМ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-31 | 913 | 0 |