846

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, том 1, выпуск 1
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 28/02/2019
Страницы 71
Номер выпуска в этом году 1
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

STRUCTURAL FEATURES OF THE SOLID SOLUTION (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y WITH QUANTUM DOTS (0

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 11-14 428 0

ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ АТОМАМИ ГАДОЛИНИЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 15-17 525 0

ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА ZnXSn1-ХSe ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХМПО

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 18-22 493 0

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 23-26 421 0

ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ И МАРГАНЦЕМ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 27-31 434 0