Исследованы физические свойства твердых растворов GaxIn1-xP в области составов 0,7<x<0,8. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xP с х ? 0,73 являются наиболее широкозонными материалами, проявляющими высокую электропроводность. При составах с х>0,73 зонная структура твердого раствора переходит на непрямозонную и имеет низкую подвижность носителей заряда.
Исследованы физические свойства твердых растворов GaxIn1-xP в области составов 0,7<x<0,8. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xP с х ? 0,73 являются наиболее широкозонными материалами, проявляющими высокую электропроводность. При составах с х>0,73 зонная структура твердого раствора переходит на непрямозонную и имеет низкую подвижность носителей заряда.
he physical properties of the solid solutions GaxIn1-xP in the range of compositions 0,7 < x < 0,8. It is shown that solid solutions of GaxIn1-xP with x ? 0.73 are the most wide-gap materials showing high electrical conductivity. With formulations x > 0,73, the band structure of the solid solution changes to non-gap and it has got a low carrier mobility.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Abdukadirov M.A. | доктор технических наук, доцент. Профессор кафедры "Физика" | TATU |
| 2 | Akhmedova N.A. | кандидат физико-математических наук, доцент кафедры "Физика" | TATU |
| 3 | Ganiev A.S. | кандидат физико-математических наук, доцент кафедры "Физика" | TATU |
| 4 | Jumaniyazov I.O. | Ассистент кафедры "Физика" | TATU |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |