ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОП СТРУКТУРЫ Al-Al2O3-p-CdTe-Mo -В ПРЯМОМ НАПРАВЛЕНИИ ТОКА

Приведены результаты исследований прямой ветви вольт-амперной характеристики структуры Al-Al₂O₃-p-CdTe-Mo с толщинами базы d~8-10 m. Показано, что в рекомбинационных процессах в базе исследуемой структуры участвуют наряду точечными дефектами-примесями сложные комплексы. Установлено, что при малых плотностях тока в рекомбинационных процессах участвуют точечные дефекты, а при больших плотностях тока, когда скорость рекомбинации выходит на полное насыщение, рекомбинационные процессы в исследуемых образцах определяются сложными комплексами, внутри которых происходит задержка электронов.

The results of studies of the direct branch of the current - ??voltage characteristic of the Al-Al₂O₃-p-CdTe-Mo structure with base thicknesses d ~ 8?10 ?m are presented. It was shown that, along with point defects and impurities, complex complexes participate in the recombination processes in the base of the structure under study. It was established that at low current densities in point of recombination processes point defects take part, and at high current densities, when the recombination rate reaches full saturation of U?N_R/?_i, the recombination processes in the samples under study are determined by complex complexes within which the electrons are delayed