Показана возможность обнаружения дефектов кремниевых пластин на основе Фурье анализа цифровых изображений, полученных с помощью лазерной интроскопии.
Показана возможность обнаружения дефектов кремниевых пластин на основе Фурье анализа цифровых изображений, полученных с помощью лазерной интроскопии.
The possibility of detection of defects in silicon wafers by Fourier analysis of digital images obtained by laser introscopy is shown
№ | Имя автора | Должность | Наименование организации |
---|---|---|---|
1 | Azamatov Z.T. | Reseacher | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
2 | Kulagin I.A. | ||
3 | Abdurakhmanov K.P. | ||
4 | Akbarova N.A. |
№ | Название ссылки |
---|---|
1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |