В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы
В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы
This paper developed injection-voltaic transistor presents. The results research of the V-I characteristic of cascode injection-voltaic transistor.It is shown that the proposed transistor operates stably at values of the reverse voltage collector-base 2-3 times higher than single transistors
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Aripova Z.K. | старший преподаватель | TATU |
| 2 | Toshmatov S.T. | PhD, докторант | TATU |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |