588
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2019, Том 1, выпуск 2 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 1 | ||
| Дата выпуска | 27/04/2019 | ||
| Страницы | 70 | ||
| Номер выпуска в этом году | 2 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 10-15 | 484 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 379 | 0 |
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ С НАНОКЛАСТЕРАМИ НИКЕЛЯ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 22-26 | 435 | 0 |
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-35 | 453 | 0 |
|
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 372 | 0 |