671

Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 13-12-2019
  • Количество прочтений 631
  • Дата публикации 15-11-2018
  • Язык статьиRus
  • Страницы14-17
Ўзбек

Яримўтказгичли қуёш элементи токининг зичлигига хароратнинг таъсири ўрганилган. Фотогальваник характеристиканинг хароратга боғлиқлигини тушунтирувчи янги тенглама олинган.

Русский

Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.

English

The influence of temperature on effective value of density of the current of a semiconductor solar cell is investigated. New equation explaining the dependence of photogalvanic characteristics on temperature is obtained.

 

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Aliyev R.U. professor Andijon davlat universiteti
2 Ikromov R.G. Namangan muhandislik texnologiyasi instituti
3 Alinazarova M.A. Namangan davlat universiteti
№ Название ссылки
1 1. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы (теория и эксперимент), М.: Энергоатомиздат, 1987.- 278 с. 2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.- М.: Мир, 1984.- 456 с. 3. Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Алиев Р., Исманова О.Т., Ниязова О., Нуритдинова М.А. // Гелиотехника.- 2003.- №3.- С.19-22. 4. Алиев Р., Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т., Нуритдинова М.А.//Гелиотехника.- 2003.-№1.- С. 18-22. 5. Алиев Р. Алиназарова М. А., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т. // Гелиотехника.- 2009.- № 3.- С. 15-20. 6. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.- М.: Мир, 1980.- 208 с.
В ожидании