Теоретическое исследование и компьютерное моделирование составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с одинаковой шириной запрещенной зоны.

Тақиқланган зона кенглиги бир хил бўлган яримўтказгичли материалдан ясалган таркибий транзисторларни назарий тадқиқиқ қилиш ва компьютерда моделлаштириш натижалари келтирилган. Бундай таркибий транзисторларнинг вольт-ампер тавсифларини тадқиқ этиш учун Dеlphi–6 дастурлаш муҳитида мулоқотли компьютерда моделлаштириш дастури ишлаб чиқилган. Таклиф этилаётган транзисторлар уларни саноат миқёсида ишлаб чиқаришда технологикликни оошириши кўрсатилган. Таклиф этилаётган таркибий транзисторлар қувват кучайтиргичлари, радио узатиш қурилмаларининг чиқиш каскадлари учун мўлжалланган. 

Приведены результаты теоретического исследования и компьютерного моделирования составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с одинаковой шириной запрещенной зоны. Для исследования вольт – амперных характеристик таких составных транзисторов в среде программирования Dеlphi-6 разработана диалоговая компьютерная моделирующая программа. Показано, что предлагаемые транзисторы позволяют повысить технологичность при его промышленном изготовлении. Предложенные составные транзисторы предназначены для выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств. 

Presents the results of theoretical research and computer simulation of composite transistors made of a semiconductor material with the same of the forbidden band. To study the volt-ampere characteristics of such composite transistors, an interactive computer simulation program was developed in the programming environment of Delphi-6. It is shown that the proposed transistors make it possible to improve manufacturability when it is manufactured industrially. The proposed composite transistors are designed for the final cascades of power amplifiers, radio transmitting devices.