Тадқиқот иши кремнийда радиациявий нуқсонларнинг никель атомлари кластерлари билан ўзаро таъсирлашувини ўрганишга бағишланган. p-Si<В,Ni>, p-Si<В,P,Ni> намуналарда заряд ташувчилар концентрациясининг нисбий ўзгариши p-Si<B,P> ва p-Si<B> намуналардагидан кўра анча кам эканлиги аниқланди, бу тез нейтронлар таъсирида бир вақтнинг ўзида радиациявий нуқсонларнинг пайдо бўлиши ва электрфаол бўлмаган Ni киришмаси атомларининг электр фаол ҳолатга ўтиши билан боғлиқ.
Тадқиқот иши кремнийда радиациявий нуқсонларнинг никель атомлари кластерлари билан ўзаро таъсирлашувини ўрганишга бағишланган. p-Si<В,Ni>, p-Si<В,P,Ni> намуналарда заряд ташувчилар концентрациясининг нисбий ўзгариши p-Si<B,P> ва p-Si<B> намуналардагидан кўра анча кам эканлиги аниқланди, бу тез нейтронлар таъсирида бир вақтнинг ўзида радиациявий нуқсонларнинг пайдо бўлиши ва электрфаол бўлмаган Ni киришмаси атомларининг электр фаол ҳолатга ўтиши билан боғлиқ.
Работа посвящена изучению взаимодействия радиационных дефектов с кластерами атомов никеля в кремнии. Обнаружено, что относительное изменение концентрации носителей заряда в образцах p-Si<В,Ni>, p- Si<В,P,Ni > медленнее, чем в p-Si<В,P> и p-Si<В>, это связано с одновременным возникновением радиационных дефектов и переходом электрически неактивных атомов примеси Ni в электрически активное состояние в результате взаимодействия с быстрыми нейтронами.
The work is devoted to the study of the interaction of radiation defects with clusters of nickel atoms in silicon. It was found that a relative change in the concentration of charge carriers in samples is p-Si<B,Ni>, p-Si<B,P,Ni> is slower than in p-Si<B,P> and p-Si<B>, this is due to the simultaneous occurrence of radiation defects and the transition of electrically inactive Ni impurity atoms to an electrically active state as a result of interaction with fast neutrons.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Kurbanov A.O. | dotsent | Andijon davlat universiteti |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | 1. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. - Ташкент: Фан, 1984, -160 с. 2. Karimov, M., Makhkamov, S., Tursunov, N.A.,Makhmudov, S.A., Sulaimonov, A.A.The eff ect of fast neutrons on th e electrophysical properties of nuclear-doped p-silicon. // Russian Physics Journal. – 2011, -V. 54, -Issue 5, -P.589-593. 3. Yang, J., Li, X., Liu, C., Fleetwood, D.M. The eff ect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime // Microelectronics Reliability. – 2018, -V.82, -P.124-129. 4. Ермолов П., Карманов Д., Лефлат А., Мананков В., Меркин М., Шабалина Е. Нейтронно-наведенные эффек- ты в зонном кремнии, обусловленные дивакансионными кластерами с тетравакансионным ядром // ФТП. -Санкт- Петербург, – 2002, -Т.36, -№ 10, -С. 1194-1201. 5. Талипов Ф.М. Влияние марганца на радиационную деградацию электрических и рекомбинационных пара- метров монокристалла кремния. // ФТП. -Санкт–Петербург, 1997, - Т.31, – Вып.5, - С.515-516. 6. Ke, J., Ke, H.,Odette, G.R., Morgan, D. Cluster dynamics modeling of Mn-Ni-Si precipitates in ferritic-martensitic steel under irradiation //Journal of Nuclear Materials. – 2018, -V. 498, -P. 83-88. 7. Шейнкман М. К., Шик А. Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. - Санкт-Петербург, 1976, -Т.10, -№ 2, -С.209. |