407

В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы

  • Количество прочтений0
  • Дата публикации25-06-2019
  • Язык статьиRus
  • Страницы21-29
Русский

В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы

English

This paper identified mechanisms for stabilization the operating modes of cascode injection-voltaic transistors. The results of research of the V-I characteristic of cascode injection-voltaic transistor are presented. It is shown that the proposed transistor operates stably at values of the reverse voltage collector-base 2-3 times higher than single transistors

Ключевые слова
Имя автора Должность Наименование организации
1 Aripova Z.K. старший преподаватель TATU
2 Toshmatov S.T. PhD, докторант TATU
3 Andreev V.M. Dr. of Tech. Sc., Professor, Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences, Head of the Laboratory the Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences
Название ссылки
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
В ожидании