722
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 1 | ||
| Дата выпуска | 26/06/2019 | ||
| Страницы | 76 | ||
| Номер выпуска в этом году | 3 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-15 | 434 | 0 |
|
РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ. МОДЕЛЬ ДРЕССЕЛЬХАУЗА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 425 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 21-29 | 494 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 30-36 | 463 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 43-49 | 509 | 0 |