. Предлагается модель р-n перехода микронного размера, выращенного на подложке солнечного элемента (СЭ) из дешевого стабильно устойчивого технического (или металлургического) кремния. Эти СЭ с р-n переходами микронного размера особенно эффективны в процессе массового производства солнечного электричества, когда СЭ находится постоянно в агрессивных климатических условиях
A model of p-n transition of micron size grown on a solar cell (SС) substrate from low-cost stable technical (or metallurgical) silicon is proposed. These SС with p-n transitions of micron size are particularly effective in the process of mass production of solar electricity, when the SE is constantly in aggressive climatic conditions
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Muminov R.A. | д.ф.-м.н., академик, заведующий лабораторией | НПО “Физика-Солнце” АН РУз |
| 2 | Imamov E.Z. | , д.ф.-м.н., профессор | Ташкентский университет информационных технологий |
| 3 | Djalalov T.A. | PhD ф.-м.н., старший научный сотрудник | Ташкентский университет информационных технологий |
| 4 | Karimov K.N. | Aмладший научный сотрудник | Ташкентский университет информационных технологий |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |