В данной работе были исследованы механизм переноса дырошного
фототока и влияния на него ловушки, который находится в щели подвижности
аморфного гидрированного кремния. Дырошный фототок были полушены в мишени
видикона на основе
H Si a :
. Кроме этого были физишески обоснована критерий
фототока в импульсном режиме для полушения параметров дырошных ловушек, и их
энергетишеский положения в щели подвижности. Из полушенных результатов можно
определит типы рекомбиначия и с помощью этого можно определить коэффичиент
захвата этих ловушек. Параметры этих уровней можно использовать при
усовершенствования эффективности солнешных элементов на основе
H Si a :
.
В данной работе были исследованы механизм переноса дырошного
фототока и влияния на него ловушки, который находится в щели подвижности
аморфного гидрированного кремния. Дырошный фототок были полушены в мишени
видикона на основе
H Si a :
. Кроме этого были физишески обоснована критерий
фототока в импульсном режиме для полушения параметров дырошных ловушек, и их
энергетишеский положения в щели подвижности. Из полушенных результатов можно
определит типы рекомбиначия и с помощью этого можно определить коэффичиент
захвата этих ловушек. Параметры этих уровней можно использовать при
усовершенствования эффективности солнешных элементов на основе
H Si a :
.
The manuscript describes the effect of the mechanism of hole currency and the
handholds on the mobility groove in the Hydrogenated Amorphus Silicon (a-Si:H). The
photocurrent of the holes was taken by target of Vidicon device. Moreover, the boundary of the
photocurrent that was determined by exact impulse regime was physically defined to obtain some
information about the carriers and their energetic position on the mobility strip.Taken
informations can be used to find recombination type, catch factor and improve the effectiveness
of solar cells based on a-Si:H
:Мақолада аморф гидридланган кремний фототокида ковакли
ташувшанликни механизми ва унга царакатанлик тирқишидаги тутқишларнинг
таъсири фрганилган. Ковакли фототок a-Si:H асосидаги видикон мишенида олинган.
Бундан ташқари ковакларни, тутқишларни ва уларнинг царакатшанлик тирқишидаги
энергетик фрнини аниқлаш ушун импульсли режимида олинган фототокнинг шегараси
физикавий асосланган. Олинган натижалардан рекомбиначия тури ва тутқишларни
ушлаш коэффичиентини аниқлаш мумкин. Ушбу параметрлардан a-Si:H асосидаги
қужш элементларини эффективлигини такомиллаштиришда фойдаланиш мумкин.
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Zaynobiddinov S.. | ADU | |
| 2 | Babakhodzhayev .. | Namdu | |
| 3 | Nabiyev A.. | Namdu |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, Ye.V. Malg’chukova, I.O. Sokolovskiy. FT’, 2015, t. 49, vq’. 5, s. 697-706. |
| 2 | Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobqlg’, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, V.N. Verbitskiy, S.A. Kudryashov, K.V.Emtsev, I.O.Sokolovskiy. FT’, 2015,tom 49, vq’.5, s. 707-714. |
| 3 | V. ‘. Afanasg’ev, Ye. I. Terukov, A. A. SHerchenkov. Tonko’lenochnqe solnechnqe elementq na osnove kremniya. 2-e izd., C.-’eterburg: S’bGETU «LETI», 2011. |
| 4 | A.I. ‘o’ov. Amorfnqe ‘olu’rovodniki v mikro- i nanoelektronike. Jurnal «Vestnik RGRTU», № 4, 2009. |
| 5 | Raximov N., Babaxodjaev U.S., Mavlyanov X., Ikramov R. FT’, 2001, №8., s. 948-950. |
| 6 | O.A. Golikova, Letters in ZHTN 15, 85 (1989) |
| 7 | Y. Shimomoto et al. In: ‘roc. 13th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.263. |
| 8 | A. Rose. Fundamentals of the theory of ‘hotoconductivity (Moscow, Science, 1966), ‘.190 |
| 9 | S.M. Ryvkin. ‘hotoelectric ‘henomena in semiconductors (Moscow, Science, 1963), ‘.654. |
| 10 | T. Hamona et al. In: ‘roc. 13-th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.245 |
| 11 | Y. Hamakava. Amor’hous semiconductors and devices based on them (Moscow, Metallurgy, 1986), ‘.375 |
| 12 | O.A.Golikova, U.S. Babakhodzhayev, M.M.Kazanin, M.M. Mezdrohina FT’ 25,2(1991). |