362

Исследованы  спектры  ширина  запрещенной  зоны  в  сильно 
легированных  полупроводниках. Предлагается  модель,  для  описания  запрещенной  зоны 
полупроводника в зависимости от степени легирования и от температуры. С помощью 
модели исследуются изменения ширины запрещенной зоны.  

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI04-03-2020
  • Количество прочтений336
  • Дата публикации09-07-2019
  • Язык статьиRus
  • Страницы28-35
Ўзбек

кучли  лигерланган  яримўтказгичларда тақиқланган  зона  кенглиги 
спектри  тадқиқ  қилинган.  Яримўтказгичлардаги  тақиқланган  зона  кенглигини 
лигерланиш  даражаси  ва  ҳароратга  боғлиқлигини  кўрсатувчи  модел  тавсия  қилинган. 
Шу модел ёрдамида яримўтказгичларда тақиқланган зона кенглиги ўрганилган 

Русский

Исследованы  спектры  ширина  запрещенной  зоны  в  сильно 
легированных  полупроводниках. Предлагается  модель,  для  описания  запрещенной  зоны 
полупроводника в зависимости от степени легирования и от температуры. С помощью 
модели исследуются изменения ширины запрещенной зоны.  

English

The  spectra  of  the  band gap  in heavily doped  semiconductors  are  studied. A 
model  is  proposed  for  describing  the  band  gap  of  a  semiconductor  depending  on  the  degree  of 
doping and on  temperature. With  the help  of  the model,  changes  in  the width of  the  forbidden 
zone are investigated. 

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Dadamirzaev M.G. NamMQI
2 sharibaev N.Y. NamMTI
3 Turgunov .. Namdu
№ Название ссылки
1 Mott N., Devis E.. “Elektronnыe protsessы v nekristallicheskix veщestvax”, - M.Mir1982s
2 Bonch–Bruevich L., Zviyagin I.P., Kayper R., Mironov G., Enderlayn R., Esser B. Elektronnaya teoriya neuporyadochennыx poluprovodnikov. -Moskva.1981. Nauka. 384; C.
3 Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov; C. G. Fizika poluprovodnikov. - M.: Nauka, 1977.
4 [4] Gulyamov G., SHaribaev N.YU. Opredelenie PPS granitsы razdela, poluprovodnik–dielektrik, v MDP–strukture // FTP – Sankt Peterburg, 2011, - T.45. №2. -; C. 178-182.
5 Gulyamov G. G., SHaribaev N. YU., Opredelenie diskretnogo spektra PPS MOP Struktur Al–SiO2–Si, obluchennыx neytronami // Poverxnost. Rentgenovskie, sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya, 2012, № 9, C. 13–17
6 Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N.Yu. The temperature dependence of the density of states in semiconductors // World Journal of Condensed Matter Physics. - Irvine CA, USA, 2013. - vol.3 №.4. -rr.216-220.
7 G.Gulyamov, N.YU. SHaribaev, Issledovaniya temperaturnoy zavisimosti SHZZ Si i Ge s pomoщyu modeli // Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, 2013, t.11, № 2 c.231-237
8 Gulyamov G., SHaribaev N.YU., Vliyanie effektivnoy massы plotnosti sostoyaniy na temperaturnuyu zavisimost shirinы zapreщennoy zonы v tverdыx rastvorax p-Bi2- xSbxTe3-ySey // Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, 2013, t.11, № 2 c.20-23
9 Bakhadyrkhanov M.K., Mavlyanov A.Sh., Sodikov U.Kh., Khakkulov M.K., Silicon with Binary Elementary Cells as a Novel Class of Materials for Future Photoenergetics, // Geliotekhnika, 2015, No. 4, pp. 28–32.
10 Gulyamov G., Karimov I.N., SHaribaev N.YU., Erkaboev U. Opredelenie PPS na granitsu razdela poluprovodnik dielektrik v strukturax Al-SiO2-Si i Al-SiO2-n-Si pri nizkoy temperature // Uzbekskiy fizicheskiy jurnal. - Tashkent, 2010 -12(№3), -S.143- 146.
В ожидании