| Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
|---|---|---|---|---|
| ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Mansurov X.J., Daliev K.S., Yulchiev S.K. |
Rus | 889 | |
| СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Boboev A.Y., Yulchiev S.K., Usmonov J.N. |
Rus | 741 | |
| СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si (Обзор) Физика полупроводников и микроэлектроника |
Daliev K.S., Yulchiev S.K. |
Rus | 830 | |
| МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ n-Si-р-(SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y ГЕТЕРОСТРУКТУР NamDUA | Yulchiev S.K. | Rus | 591 | 591 |