518

Установлено, что  использованные подложки имеют совершенную кристаллическую решетку и их структурные параметры соответствует параметрам качественных пленок(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Определено, что полученные пленки (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y являются монокристаллическими с ориентацией (111) и размером блоков 620 Å, а параметр кристаллической решетки пленки составляет af = 5.656 Å. Определены электрофизические параметры пленки при 300 K - тип проводимости – p, концентрация и подвижно­сть основных носителей заряда 1,5 ·1016-3 и 435 см2/В∙с.

 

  • Количество прочтений 0
  • Дата публикации 26-06-2019
  • Язык статьиRus
  • Страницы62-67
Русский

Установлено, что  использованные подложки имеют совершенную кристаллическую решетку и их структурные параметры соответствует параметрам качественных пленок(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Определено, что полученные пленки (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y являются монокристаллическими с ориентацией (111) и размером блоков 620 Å, а параметр кристаллической решетки пленки составляет af = 5.656 Å. Определены электрофизические параметры пленки при 300 K - тип проводимости – p, концентрация и подвижно­сть основных носителей заряда 1,5 ·1016-3 и 435 см2/В∙с.

 

Русский

It was found that the substrates used have the perfect crystal lattice and their structural parameters correspond to the parameters of high-quality films (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. It was determined that films (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y are single-crystal with the orientation (111) and the size of block is 620 Å and the film crystal lattice parameter is af=5,656Å. Preliminary electrophysical parameters were found at 300 K, which the conductivity is p-type, the concentration and mobility of the main charge carriers are 1,5·1016 cm-3 и 435 сm2/V∙s

Имя автора Должность Наименование организации
1 Boboev A.Y. к.ф.-м.н., доцент Andijan State University
2 Yulchiev S.K. PhD, преподаватель Andijan State University
3 Usmonov J.N. базовый докторант Andijan State University
Название ссылки
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
В ожидании