458
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2020, том 2, выпуск 2 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 2 | ||
| Дата выпуска | 25/04/2020 | ||
| Страницы | 70 | ||
| Номер выпуска в этом году | 2 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 38-43 | 197 | 0 |
|
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 44-52 | 185 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 53-58 | 172 | 0 |
|
INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 59-62 | 89 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 63-70 | 213 | 0 |