758

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2020, том 2, выпуск 3
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 2
Дата выпуска 25/06/2020
Страницы 70
Номер выпуска в этом году 3
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

ABOUT THE CHARACTERISTICS OF MULTILAYER THIN-FILM STRUCTURES WITH DYES BASED ON TITANIUM DIOXIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 46-49 170 0

THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS ON PROPERTIES OF IRRADIATED SILICON MIS STRUCTURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 50-52 384 0

INFLUENCE OF THE GAMMA IRRADIATION ONTO IV CURVE OF THE SURFACE BARRIER METALL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH MICRO-TEXTURED INTERFACE

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 53-55 188 0

STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 56-59 206 0

THE EFFICIENCY OF SOLAR DRYERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 60-63 189 0