986
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 2 | ||
| Дата выпуска | 25/08/2020 | ||
| Страницы | 69 | ||
| Номер выпуска в этом году | 4 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 29-32 | 359 | 0 |
|
THE INFLUENCE OF THE MICROWAVE FIELD ON THE CHARACTERISTICS OF THE p-n JUNCTION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 33-36 | 362 | 0 |
|
COMPACT SPECKLE INTERFEROMETER FOR DIGITAL SHEAROGRAPHY Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 37-40 | 441 | 0 |
|
NEW ENERGY AND RESOURCE SAVING TECHNOLOGIES FOR PRODUCING SILICON AND ITS ALLOYS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 41-44 | 344 | 0 |
|
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 45-47 | 441 | 0 |