986

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2020, том 2, выпуск 4
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 2
Дата выпуска 25/08/2020
Страницы 69
Номер выпуска в этом году 4
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

SCANNING PHOTOSTIMULATED ELECTROMETRY FOR TESTING THE UNIFORMITY OF SPATIAL DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR WAFERS PARAMETERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 48-51 338 0

POSSIBILITIES OF USING HIGHLY COMPENSATED SILICON IN ELECTRONICS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 52-54 310 0

INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 55-58 241 0

CIRCUIT SIMULATION OF RADIATION-SENSITIVE PARAMETERS OF THE OPERATIONAL AMPLIFIER LM358

Физика полупроводников и микроэлектроника

 O'zbek 59-62 136 0

IMPROVING THE PHOTOELECTRIC CHARACTERISTICS OF THIN-FILM SOLAR CELLS THE BASED CDTE BY DOPING WITH COPPER THE BASE LAYER OF CADMIUM TELLURIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 63-66 444 0