855
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 1 | ||
| Дата выпуска | 26/06/2019 | ||
| Страницы | 76 | ||
| Номер выпуска в этом году | 3 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 37-42 | 236 | 0 |
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 50-55 | 545 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 56-61 | 427 | 0 |
|
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 62-67 | 562 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 68-75 | 639 | 0 |