826

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, Том 1, выпуск 4
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 26/08/2019
Страницы 74
Номер выпуска в этом году 4
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

К ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 525 0

КРЕМНИЕВЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С МАЛЫМИ Р-N ПЕРЕХОДАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 483 0

НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КОНТАКТЕ ПОЛУПРОВОДНИК – ПЛАЗМА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 514 0

АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ НА ОСНОВЕ ВЕРОЯТНОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЗОНДОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕМПЕРАТУРЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 471 0

О МЕХАНИЗМЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МНОГОБАРЬЕРНОЙ ФОТОДИОДНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 522 0