767
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2019, том 1, выпуск 5 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 1 | ||
| Дата выпуска | 28/10/2020 | ||
| Страницы | 79 | ||
| Номер выпуска в этом году | 5 | ||
| Общее число | 79 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-27 | 553 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 28-35 | 442 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 423 | 0 |
|
DIGITAL HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY IN PHYSICAL MEASUREMENTS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 344 | 0 | |
|
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 47-51 | 474 | 0 |