438

The photosensitivity of a three-barrier photodiode m-n-p-m-structure, where the m-n- and p-m-junctions are formed as rectifying, are studied.  It is shown the significant increasing of quantum efficiency during exciting of structure from the substrate side when n-p-heterojunction is direct biased. It is found the condition which leads to a state with a constant sensitivity in a wide range from 0,95 to 1,3 eV that can be interested for telecommunication and fiber-optic systems. It is shown the availability in structure of internal photoelectric gain.

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 28-10-2020
  • Количество прочтений 0
  • Дата публикации 28-10-2020
  • Язык статьиIngliz
  • Страницы47-51
English

The photosensitivity of a three-barrier photodiode m-n-p-m-structure, where the m-n- and p-m-junctions are formed as rectifying, are studied.  It is shown the significant increasing of quantum efficiency during exciting of structure from the substrate side when n-p-heterojunction is direct biased. It is found the condition which leads to a state with a constant sensitivity in a wide range from 0,95 to 1,3 eV that can be interested for telecommunication and fiber-optic systems. It is shown the availability in structure of internal photoelectric gain.

Русский

Исследована фоточувствительность трехбарьерной фотодиодной m-n-p-m-структуры, в которой m-n- и p-m-переходы сформированы как выпрямляющие. Показано значительное увеличение квантовой эффективности при возбуждении структуры со стороны подложки при прямом смещении n-p-гетероперехода. Найдены условия, которые приводят к состоянию с постоянной чувствительностью в широком диапазоне от 0,95 до 1,3 эВ, что может быть интересным для телекоммуникационных и волоконно-оптических систем. Показано наличие в структуре внутреннего фотоэлектрического усиления.

№ Название ссылки
1 Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника
В ожидании