768

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, том 1, выпуск 5
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 28/10/2020
Страницы 79
Номер выпуска в этом году 5
Общее число 79
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

ДАТЧИКИ СКОРОСТИ ПОТОКА СПЛОШНЫХ СРЕД

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 52-57 261 0

НОВАЯ РАЗНОВИДНОСТЬ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 58-63 471 0

ПОВЫШЕНИЕ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ КЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ НИКЕЛЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 64-71 375 0

РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 72-77 493 0