Bosh sahifa
Jurnallar
Mualliflar
Maqolalar
Yangiliklar
O'zbek
Русский
Ingliz tili
Kirish
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES
Bosh sahifa
Maqolalar
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES
251
Jurnal nomi
Физика полупроводников и микроэлектроника
Nashr soni
2020, том 2, выпуск 3
Ko'rishlar soni
251
Internet havola
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/2/
DOI
UzSCI tizimida yaratilgan sana
27-03-2022
O'qishlar soni
0
Nashr sanasi
25-06-2020
Asosiy til
Ingliz
Sahifalar
13-16
Kalit so'z
Annotatsiyalar
Mualliflar
Foydalanilgan adabiyotlar
Hujjatni onlayn ko'rish
№
Muallifning F.I.Sh.
Lavozimi
Tashkilot nomi
1
Utamuradova S.B.
Директор
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
№
Havola nomi
Kutilmoqda