Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии
X-ray diffraction studies showed that the resulting film has a sphalerite structure and is single-crystal with the (100) orientation. The lattice parameter of the film is af = 0.56697 nm. An atomic force microscope has shown the possibility of obtaining a semiconductor heterostructure with quantum dots by the method of liquid phase epitaxy.
Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Zainabidinov S.Z. | д.ф.-м.н., академик, | Andijan State University |
| 2 | Mansurov X.J. | . доцент | Andijan State University |
| 3 | Boboev A.Y. | PhD, преподаватель | Andijan State University |
| 4 | Makhmudov K.A. | докторант | Andijan State University |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |