Установлено, что использованные подложки имеют совершенную кристаллическую решетку и их структурные параметры соответствует параметрам качественных пленок(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Определено, что полученные пленки (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y являются монокристаллическими с ориентацией (111) и размером блоков 620 Å, а параметр кристаллической решетки пленки составляет af = 5.656 Å. Определены электрофизические параметры пленки при 300 K - тип проводимости – p, концентрация и подвижность основных носителей заряда 1,5 ·1016 cм-3 и 435 см2/В∙с.
Установлено, что использованные подложки имеют совершенную кристаллическую решетку и их структурные параметры соответствует параметрам качественных пленок(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Определено, что полученные пленки (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y являются монокристаллическими с ориентацией (111) и размером блоков 620 Å, а параметр кристаллической решетки пленки составляет af = 5.656 Å. Определены электрофизические параметры пленки при 300 K - тип проводимости – p, концентрация и подвижность основных носителей заряда 1,5 ·1016 cм-3 и 435 см2/В∙с.
It was found that the substrates used have the perfect crystal lattice and their structural parameters correspond to the parameters of high-quality films (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. It was determined that films (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y are single-crystal with the orientation (111) and the size of block is 620 Å and the film crystal lattice parameter is af=5,656Å. Preliminary electrophysical parameters were found at 300 K, which the conductivity is p-type, the concentration and mobility of the main charge carriers are 1,5·1016 cm-3 и 435 сm2/V∙s
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Boboev A.Y. | к.ф.-м.н., доцент | Andijan State University |
| 2 | Yulchiev S.K. | PhD, преподаватель | Andijan State University |
| 3 | Usmonov J.N. | базовый докторант | Andijan State University |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |