| Maqolaning nomi | Hammualliflar | Asosiy til | Ko'rishlar | O'qishlar |
|---|---|---|---|---|
| ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) И Si(100) В ПРОЦЕССЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» |
Raximov A.T., Rysbaev A.S., Igamov B.., Khudayberdieva M.. |
O'zbek | 453 | 352 |