383

Nashriyot haqida ma'lumot

Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Telefon: +998 71 248 79 94

Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru

Nomi 2020, том 2, выпуск 1
Jurnal Физика полупроводников и микроэлектроника
Tom raqami 2
Nashr etilgan sana 25/02/2020
Sahifalar 72
Bu yil bo'yicha nashr raqami 1
Umumiy soni 6
Fayl
Kutilmoqda
Maqolaning to'liq nomi Til Sahifa Ko'rishlar soni O'qishlar soni

ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 9-22 301 0

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 17-27 231 0

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 23-30 203 0

ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 27-39 212 0

РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ Si(Li) СТРУКТУР ПРИ ГАММА ОБЛУЧЕНИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-42 261 0