448
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 2 | ||
| Nashr etilgan sana | 25/02/2020 | ||
| Sahifalar | 72 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 1 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 39-52 | 240 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 46-55 | 188 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 54-64 | 210 | 0 |
|
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 60-67 | 216 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 66-71 | 157 | 0 |