497
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2020, том 2, выпуск 2 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 2 | ||
| Nashr etilgan sana | 25/04/2020 | ||
| Sahifalar | 70 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 2 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 38-43 | 219 | 0 |
|
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 44-52 | 199 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 53-58 | 181 | 0 |
|
INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 59-62 | 98 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 63-70 | 225 | 0 |