Nomi | 2020, том 2, выпуск 2 | ||
Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Tom raqami | 2 | ||
Nashr etilgan sana | 25/04/2020 | ||
Sahifalar | 70 | ||
Bu yil bo'yicha nashr raqami | 2 | ||
Umumiy soni | 6 | ||
Fayl |
Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
---|---|---|---|---|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 38-43 | 314 | 0 |
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 44-52 | 263 | 0 |
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 53-58 | 259 | 0 |
INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 59-62 | 150 | 0 |
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 63-70 | 320 | 0 |