910

Nashriyot haqida ma'lumot

Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Telefon: +998 71 248 79 94

Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru

Nomi 2019, том 1, выпуск 1
Jurnal Физика полупроводников и микроэлектроника
Tom raqami 1
Nashr etilgan sana 28/02/2019
Sahifalar 71
Bu yil bo'yicha nashr raqami 1
Umumiy soni 6
Fayl
Kutilmoqda
Maqolaning to'liq nomi Til Sahifa Ko'rishlar soni O'qishlar soni

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 32-34 331 0

ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНОЙ ОБЛАСТИ СОСТАВОВ GaxIn1-xP НА ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 35-37 212 0

ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОП СТРУКТУРЫ Al-Al2O3-p-CdTe-Mo -В ПРЯМОМ НАПРАВЛЕНИИ ТОКА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 38-40 324 0

ПРИНЦИПЫ ПОВЫШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 45-47 440 0

ИЗМЕРИТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ОПТОВОЛОКОННЫХ ЛИНИЙ СВЯЗИ И ЦИФРОВОЙ МУЛЬТИМЕТР

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 48-50 399 0