711
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2019, Том 1, выпуск 2 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 1 | ||
| Nashr etilgan sana | 28/04/2019 | ||
| Sahifalar | 70 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 2 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 10-15 | 575 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 451 | 0 |
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ С НАНОКЛАСТЕРАМИ НИКЕЛЯ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 22-26 | 519 | 0 |
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-35 | 535 | 0 |
|
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 440 | 0 |