757

Nashriyot haqida ma'lumot

Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Telefon: +998 71 248 79 94

Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru

Nomi 2019, том 1, выпуск 6
Jurnal Физика полупроводников и микроэлектроника
Tom raqami 1
Nashr etilgan sana 28/10/2020
Sahifalar 78
Bu yil bo'yicha nashr raqami 6
Umumiy soni 78
Fayl
Kutilmoqda
Maqolaning to'liq nomi Til Sahifa Ko'rishlar soni O'qishlar soni

STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 9-14 429 0

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 344 0

DEVELOPMENT OF PHOTOTHERMOELECTRIC CONVERTERS AND RESEARCH OF THEIR DESIGN AND OPERATIONAL FEATURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 21-25 354 0

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 26-33 470 0

МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ НАГРУЗОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-40 424 0