28 Oktabr 2020
55Main language:Russian
РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Исследовано влияние изохронного отжига на параметры МДП-структур с примесями вольфрама и молибдена, облученных g-квантами 60Со. Показано, что присутствие в кремниевой подложке МДП-структур примесей тугоплавких элементов - вольфрама или молибдена приводит к стабилизации всех параметров исследуемых структур Al-SiO2-Si и Al-SiO2-Si при различных термообработках при температурах Тотж=70÷400оС и облучении. Установлено, что предварительный отжиг МДП-структур с примесями W и Mo при 350оС в течение 30 минут в атмосфере азота, проведенный в целях снижения плотности поверхностных состояний, уменьшает концентрацию радиационных дефектов, вводимых облучением.
AUTHORS
K.Daliev
исполнительный директор филиала НИУ «МЭИ» в городе Ташкенте
SH.Daliev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
A.Paluanova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Z.Khusanov
Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
Tags
# легирование# impurity# silicon# alloying# кремний# вольфрам# термообработка# примесь# тугоплавкий элемент# heat treatment# refractory element# tungsten# облучение# irradiation# МДП-структура# MIS - structure
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника