27 Mart 2022
24Main language:Russian
ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Исследованы механические и термоэлектрические свойства термоэлементов на основе Bi0.5Sb1.5Te3, легированных никелем. Определены пути повышения предела прочности при сжатии. Исследовано влияние легирующих добавок на температурные зависимоститермоэлектрических параметров термоэлементов.
AUTHORS
K.Daliev
Филиала Национального исследовательского университета “Московский энергетический институт” в г.Ташкенте,
Tags
# легирование# термоэдс# термоэлемент# прочность. упрочнение
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available