27 Mart 2022
26Main language:Russian
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
В работе систематически и всесторонне исследовано состояние примесных атомов серы в кремнии при различных температурах. Полученные экспериментальные данные показали, что кремний, сильнокомпенсированный серой обладаетвысокой фоточувствительностью в широкой области спектра. Показана возможностьсоздания на основе такого материала высокочувствительных фотоприемников ближнегоИК- диапазона
AUTHORS
Q.Ayupov
ТГТУ
Tags
# фоточувствительность# иффузия серы# удельное сопротивление# электрический параметр# фотоэлектрические свойства
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available