27 Mart 2022
32Main language:Russian
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
работе приведены результаты экспериментального исследования влияния щелочных металлов на перенос носителей заряда в гранулированном кремнии при повышении температуры. Обнаружена смена полярности напряжения и направления тока при достижении определенных температур - эффект, ранее наблюдавшийся у нагреваемых беспереходных образцов поликристаллического кремния, также легированных щелочными металлами и объясняемый совместным проявлением процессов эмиссии и захвата носителей заряда на глубоких энергетических состояниях
AUTHORS
L.Olimov
Андижанский машиностроительный институт
Tags
# электропроводность# ранулированный кремний# окисный слой# щелочные металлы# энергетические уровни
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available