6 Dekabr 2019
35Main language:Russian
ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ АТОМАМИ ГАДОЛИНИЯ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Методом DLTS исследованы процессы дефектообразования в кремнии, легированном гадолинием. Показано, при диффузионное введение Gd в Si приводит к образованию глубоких уровней с энергиями ионизации Ec-0.23 эВ, Ec-0.35 эВ, Ec-0.41эВ и Ec-0.54 эВ и сечениями захвата электронов sn: 4?10-17см-2, 2?10-15см2, 1.1?10-16см2 и 1.5?10-15см2, соответственно, а в образцах p-Si обнаружен только один уровень с Ev+0.32 эВ.
AUTHORS
K.Daliev
National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek
U.Erguliev
SH.Norkulov
J.Ergashev
Tags
# диффузия# легирование# diffusion# silicon# кремний# гадолиний# глубокий уровень# doping# gadolinium# deep level
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника