logo
calendar7 Dekabr 2019
view31
Main language:Russian

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ

Field of Science:
pdf

file.pdf

PDF

ARTICLE ANNOTATION

quote
С помощью нестационарной емкостной спектроскопии изучена кинетика отжига уровней вольфрама в кремнии при термообработке в интервале температур 150?4000С. Обнаружено немонотонное изменение концентрации глубоких уровней Ec-0.30 эВ и Ec-0.39 эВ при изотермическом отжиге: концентрации обоих уровней при малых временах возрастают, затем концентрация уровня Ec-0.30 эВ резко падает, а уменьшение концентрации ГУ Ec-0.39 эВ происходит значительно медленнее.

AUTHORS

SH.Daliev

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

S.Nasriddinov

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

A.Paluanova

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

Tags

# silicon# кремний# глубокий уровень# вольфрам# термообработка# энергия ионизации# heat treatment# deep level# tungsten# ionization energy

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

References

Физика полупроводников и микроэлектроника