7 Dekabr 2019
31Main language:Russian
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
В работе приведены результаты теоретико-экспериментальных исследований термоэлектрических преобразователей на основе тройного соединения Bi2Te3 - Sb2Te3 (p-тип) и Bi2Te3 - Bi2Se3 (n-тип). Описаны процесс протекания нестационарного термоэлектрического охлаждения в объеме термоэлементов большой длины. Изложены параметры выбранных образцов и их температурные зависимости.
AUTHORS
A.Kasimakhunova
Fargona politexnika instituti
M.Nabiev
ФерГУ.
L.Mamadalieva
Fargona politexnika instituti
M.Latipova
Fargona politexnika instituti
T.Djabborov
Fargona politexnika instituti
Tags
# теплопроводность# thermal conductivity# термоэлементы# нестационарное охлаждение# добротность# термо Э.Д.С.# quality factor# thermocouples# non-stationary cooling# thermo emf
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника