ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК

Приводятся результаты исследований, направленных на создание фотодиодных структур на спектральный диапазон 0.85?0.9 мкм и 1.31?1.55 мкм с площадью 3х4 мм2, которые получены последовательным вакуумным напылением слоев сульфида кадмия и фосфида индия на подложку арсенида галлия, легированного кислородом с удельным сопротивлением 1?107 Ом?см. Отличительной особенностью полученных фотодиодных Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структур является двухсторон-няя чувствительность и наличие эффекта усиления первичного фототока (особенно в примесной области спектра) и низкие значения темнового тока (порядка 10 нА) при комнатной температуре. Быстродействие находится в диапазоне от 100 до 250 нс, что открывает возможность для их применения, при низких значениях емкости в открытых системах оптической связи