7 Dekabr 2019
43Main language:Russian
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы
AUTHORS
Z.Aripova
TATU
SH.Toshmatov
TATU
Tags
# каскодная схема# составной транзистор Дарлингтона# составной транзистор Шиклаи# инжекционно-вольтаический транзи# cascode# injection-voltaic transistor# composite transistor Darlington# composite transistor Sziklai# three-structural injection-volta
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника