7 Dekabr 2019
34Main language:Russian
ВЛИЯНИЕ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ (ХСП) ПЛЕНОК
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Приведены результаты исследования голографических характе-ристик халькогенидных стеклообразных полупроводниковых (ХСП) пленок, под влиянием- облучения. Установлено, что в интервале доз облучения (рентген) оптические свойства ХСП пленок и дифракционные эффективности записанных голограмм не меняются. Также доказано, что срок хранения записанных голограмм при определенных условиях составляет 10 лет и более.
AUTHORS
Z.Azamatov
T.Azamatov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
M.Bekchanova
Tags
# халькогенидные стеклообразные по# -облучение# стеклаи# дифракционная эффектив-ность# коэффициент прозрачности образца# chalcogenide glassy semiconducto# -irradiation# and glasses# diffraction efficiency# the coefficient of transparency
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника