26 Dekabr 2019
33Main language:Russian
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
В работе исследовано влияние предварительной термообработки на поведение примесей 3d-элементов, специально вводимых для модификации свойств Si. Также обнаружено взаимодействие атомов 3d-элементов с технологическими примесями - кислородом и углеродом в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
AUTHORS
SH.Utamuradova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
K.Fayzullaev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Tags
# диффузия# absorption# diffusion# дефектообразованиt# 3d-элементы# поглощение# высокотемпературная обработка# defect formation# 3d elements# high temperature treatment
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника