26 Dekabr 2019
29Main language:Russian
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОНА УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ КАСКАДНОГО ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА В ОБЛАСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЛАВИННОГО ПРОБОЯ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы
AUTHORS
Z.Aripova
TATU
SH.Toshmatov
TATU
V.Andreev
the Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences
Tags
# каскодная схема# инжекционно-вольтаический транзи# cascode# injection-voltaic transistor
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника